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固態物理
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101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：固態物理#44784
> 申論題
題組內容
四、
⑴請使用少於 20 個字說明「聲子」（phonon）是甚麼？（4 分）
相關申論題
⑵請在 k x − k y 平面畫出倒晶格之第一布 里淵區（first Brillouin zone）（請註明座標軸的刻度）。（2 分）若考慮彈性散射，則
#148699
⑶當入射波長為 λ＝3.2 A 的 X-光入射該晶體，入射角θ ( 0 < θ < π / 4 )需為多少才會產 o 生布拉格繞射（Bragg diffraction）；令θ = tan −1 ( x) ，x＝？請詳細說明過程。（8 分）
#148700
⑷同⑶，反射波的方向角θ r 是多少？請由入射、反射波向量與倒晶格向量之關係詳 細說明過程。（8 分）⑸當入射角為 π / 3 時能產生布拉格繞射的最大波長為何？請詳 細說明過程。（5 分）
#148701
⑴請依 牛頓運動定律（請用SI單位）推導該系統之 3× 3 電阻率張量（resistivity tensor） ρ ij 。 （10 分）
#148702
⑴寫出上述兩個能帶的能帶邊緣（band edge）位置及兩個能帶的帶寬（band width） 各為多少。（4 分）
#148704
⑵本系統能隙（band gap）多大？若有能量與能隙相同的光子入射，電子能否因單 純吸收光子而自EV能帶躍遷至EC能帶？請詳述理由。（5 分）
#148705
⑶本系統是金屬、半導體或絕緣體？請詳述理由。（2 分）
#148706
⑷試求電子與電洞的群速。（4 分）
#148707
⑹試求EC能帶與EV能帶在 Γ 點鄰近之態密度（density of states）。請使用週期性邊界 條件。（5 分）
#148709
⑵請敘述殘餘電阻（residual resistance）是甚麼，並說明其產生機制。（4 分）
#148711
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