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電子學(包括電力電子學)
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99年 - 99 專技高考_電機工程技師:電子學(包括電力電子學)#38834
> 申論題
題組內容
五、如圖五所示之單相半控轉換器(single-phase semiconverter),已知輸入之單相電壓 v
s
(t)=V
m
cos(ωt) V,負載以一個R-L電路與一個電池電壓V
B
串聯來表示。若兩個閘 流體(thyristors)及三個二極體(diodes)均為理想元件,且兩個閘流體的閘極( gate)均在適當的角度做觸發(trigger)。試以閘流體之觸發角(trigger angle)α 為變數,求出穩態下:
⑴閘流體電流i
TH
(t)之有效值(effective value)及平均值(average value)。(10 分)
相關申論題
⑴試求電阻器RE及RC之值,以使該電晶體工作點之射極電流(emitter current)為0.5 mA且集極電壓(collector voltage)為+5 V。(10 分)
#115427
⑵試求該放大器的電壓增益(voltage gain)。(10 分)
#115428
⑴NMOS電晶體Q1及Q2之閘極寬度(gate width)。 (10 分)
#115429
⑵電阻器 R 之值。(10 分)
#115430
⑵負載電流iL(t)之有效值及平均值。(10 分)
#115434
⑶v2 = –3v1。
#557877
⑵v2 = v1,
#557876
⑶接續⑵,請另說明其他兩種保護閘流體的電路設計方法與其概念。
#557875
⑵接續⑴,請設計保護閘流體的電路,並解釋電路中各元件的功能。
#557874
⑴ 在 S 由開路切換至短路(導通)瞬間,可能損毀閘流體 T,原因為何?
#557873
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