二、圖二為由兩個相同的N通道（N-channel）MOS電晶體所組成的電路，已知單一個 NMOS電晶體之參數為：臨界電壓（threshold voltage） V
t＝1 V、製程轉導參數（ process transconductance parameter） μ
nC
ox＝ 120 μA/V
2 、通道長度（channel length） L ＝1 μm、製程技術參數（process-technology parameter） λ = 0 V
-1。若欲使該電路具有 之電氣數值為：V
DD＝10 V、I＝240 μA、V
1＝5 V、V
2＝2 V，試求：
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