題組內容

二、圖二為由兩個相同的N通道（N-channel）MOS電晶體所組成的電路，已知單一個 NMOS電晶體之參數為：臨界電壓（threshold voltage） Vt＝1 V、製程轉導參數（ process transconductance parameter） μnCox＝ 120 μA/V2 、通道長度（channel length） L ＝1 μm、製程技術參數（process-technology parameter） λ = 0 V-1。若欲使該電路具有 之電氣數值為：VDD＝10 V、I＝240 μA、V1＝5 V、V2＝2 V，試求：

⑴NMOS電晶體Q1及Q2之閘極寬度（gate width）。 （10 分）