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電子學(包括電力電子學)
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99年 - 99 專技高考_電機工程技師:電子學(包括電力電子學)#38834
> 申論題
題組內容
一、圖一所示之電晶體放大器電路中,輸入訊號電壓vs為一正弦波電壓。已知該電路之 參數為:V
CC
=+15 V、V
EE
=-15 V、R
S
=2.02 kΩ、R
L
=10 kΩ;電晶體參數為:共 射極電流增益(common-emitter current gain) β=99、輸出電阻(output resistance) r
o
=200 kΩ、熱電壓(thermal voltage) V
T
=25 mV、V
BE
=0.7 V。
⑵試求該放大器的電壓增益(voltage gain)。(10 分)
相關申論題
⑴試求電阻器RE及RC之值,以使該電晶體工作點之射極電流(emitter current)為0.5 mA且集極電壓(collector voltage)為+5 V。(10 分)
#115427
⑴NMOS電晶體Q1及Q2之閘極寬度(gate width)。 (10 分)
#115429
⑵電阻器 R 之值。(10 分)
#115430
⑴閘流體電流iTH(t)之有效值(effective value)及平均值(average value)。(10 分)
#115433
⑵負載電流iL(t)之有效值及平均值。(10 分)
#115434
⑶v2 = –3v1。
#557877
⑵v2 = v1,
#557876
⑶接續⑵,請另說明其他兩種保護閘流體的電路設計方法與其概念。
#557875
⑵接續⑴,請設計保護閘流體的電路,並解釋電路中各元件的功能。
#557874
⑴ 在 S 由開路切換至短路(導通)瞬間,可能損毀閘流體 T,原因為何?
#557873
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