二、圖（二）所示為一共源極MOSFET放大器，利用汲極至閘極電阻RG作為偏壓。vi為 輸入訊號，經由一很大電容耦合至閘極。在汲極得到輸出訊號，經一很大電容耦合 至負載電阻RL，已知電晶體臨限電壓（threshold voltage）為Vt = 1.5V，電晶體之互 導參數為Kn = Kn'（ W/L ）= μ
n Cox（ W/L ）= 0.25mA/V
2，其中 μ
n ，Cox，W，L各 L L 為表面通道（channel）電子之移動率、氧化層電容，通道寬度及通道長度，厄粒電 壓（Early voltage）為V
A = 50V，試求
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