一、在熱生長SiO2機制中,SiO2厚度X與生長時間t之關係式為X2+AX=B(t+τ),其中τ為t = 0 時初始厚度Xo所需之相對應生長時間,已知A = 0.1 μm,B = 0.01 μm2/hr,Xo = 0.01 μm,請求出再生長 2 hr後之總氧化層厚度為多少?(20 分)