三、在矽材料中已知常溫下之本質載子濃度ni = 1.5×1010 cm-3，1kT/q = 0.0259 V，q = 1.6×10-19 C，熱平衡下之電洞濃度po = 5×1010 cm-3，電洞之位移率μp=850 cm2/V．S，電子之位移率 μn=120 cm2/V．S，請求出該材料之熱平衡電子濃度no=？電阻率（resistivity）ρ=？（15 分）

五、在雙極性電晶體n+pn中，令（nEo，pEo）、（nBo，pBo）、（nCo，pCo）分別為射極、基極、集極於熱平衡時之（電子，電洞）濃度，WEB、WBC分別為射基極與基集極間之空乏區寬度，當工作於順向作用（forward active）區時，請繪出元件各區域之電子濃度n(x)與電洞濃度p(x)之分布曲線圖。（15 分）