阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
100年 - 100 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40097
> 申論題
申論題
試卷：100年 - 100 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40097
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0
申論題資訊
試卷：
100年 - 100 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40097
科目：
半導體工程
年份：
100年
排序：
0
申論題內容
三、在矽材料中已知常溫下之本質載子濃度n
i
= 1.5×10
10
cm
-3
，1kT/q = 0.0259 V，q = 1.6×10
-19
C，熱 平衡下之電洞濃度p
o
= 5×10
10
cm
-3
，電洞之位移率μ
p
=850 cm
2
/V．S，電子之位移率 μ
n
=120 cm
2
/V．S，請求出該材料之熱平衡電子濃度n
o
=？電阻率（resistivity）ρ=？ （15 分）
阿摩線上測驗
登入