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申論題資訊

試卷:100年 - 100 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#40097
科目:半導體工程
年份:100年
排序:0

申論題內容

六、p-n結構太陽電池之面積為A = 2 cm2,在入射光功率為Pin = 100 mW/cm2之照射下,已知 光電功率轉換效率為 12%,開路電壓為Voc = 0.5 V,短路電流密度為Jsc = 30 mA/cm2,請 求出該元件之填充因素(fill factor)FF =?照光下光電流是由p或n端流出元件?(15 分)