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申論題資訊

試卷:102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:固態物理#44163
科目:固態物理
年份:102年
排序:0

申論題內容

二、⑴以近似自由電子模型(nearly free electron model)考慮一塊三維半導體;其導電 帶的電子能量為 E(k) = EC + ħ2k2/(2me),推導此導電帶的電子能態密度(density of state)D(E-EC)。(15 分)