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102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:固態物理#44163
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申論題
試卷:102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:固態物理#44163
科目:固態物理
年份:102年
排序:0
申論題資訊
試卷:
102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:固態物理#44163
科目:
固態物理
年份:
102年
排序:
0
申論題內容
二、⑴以近似自由電子模型(nearly free electron model)考慮一塊三維半導體;其導電 帶的電子能量為 E(k) = E
C
+ ħ
2
k
2
/(2m
e
),推導此導電帶的電子能態密度(density of state)D(E-EC)。(15 分)