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114年 - 114 原住民族特種考試_四等_電子工程:電子學概要#130947
> 申論題
二、如圖二所示之共源極電路,其中V
DD
=24 V,R
D
=20 Ω。試求出 MOSFET所需的電流、電壓及額定功率。(25 分)
相關申論題
一、如圖一所示電路為 BJT 放大器之小信號電路模型,其中電晶體參數為β=100 , rπ=1.2 kΩ 。試求電路之小信號電壓增益Vo /VS 及輸入電阻 Ri 。(25 分)
#553084
三、如圖三所示電路,試推導電壓轉換函數(voltage transfer function)T ( s ) =Vo ( s ) /Vi ( s ) 及 f3dB 截止頻率(cutoff frequency)。(25 分)
#553086
四、如圖四所示 NMOS NOR 閘電路,其中 VDD = 1.8 V ,且電晶體參數為kn'= 100 μA/V2 ,VTND =0.4 V ,VTNL = -0.6 V , (W /L) D = 5 , (W /L) L =1 。忽略本體效應(body effect) ,試求當輸入電壓 vA= vB = 1.8 V 時的輸出電壓 vo 及電路的功率消耗。(25 分)
#553087
(二) = 5 V , = 0 V 時, =?
#561019
(一) = 0 V 時, ?
#561018
四、圖四為一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路,電路中 npn BJT 電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下 :β1=β2 = 100 , = 10 mA/V , = 10 kΩ , = ∞ 。 電路中 , = 20 kΩ , = 20 kΩ , R1 = 2 kΩ , R2= 18 kΩ 。請計算:電壓增益 、輸入電阻 與輸出電阻 。
#561017
(二)零點(Zero)頻率。
#561016
(一)上 3 dB 頻率。
#561015
(二)當= 0.7 V (EB 接面順向偏壓)且= 0.4 V 時,電晶體 Q1 會進入 飽和模式(Saturation Mode) ,若要讓 Q1 保持在主動模式(Active Mode) , 請問 的最大值為何?
#561014
(一)請計算= ?
#561013
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