申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：107年 - 107 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#73694
科目：半導體工程
年份：107年
排序：0

二、如果矽晶圓（矽能隙為 1.12 eV）被摻雜 10¹⁷砷原子/cm³ ，請計算出載子濃度和 300 K 費米能階相較於中間能隙之位置。（Note：ni=9.65×10⁹ cm^-3）（8 分）

詳解提供者：hchungw