申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：107年 - 107 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#73694
科目：半導體工程
年份：107年
排序：0

八、一個理想之 MOS 元件，如果半導體載子 N_A=10¹⁷/cm³，請計算其空乏區最大寬度。（Note：矽相對介電常數=11.9，真空介電常數=8.85×10^-14 F/cm）（4 分）

詳解提供者：hchungw