阿摩線上測驗 登入

申論題資訊

試卷:109年 - 109 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#88494
科目:半導體工程
年份:109年
排序:0

申論題內容

五、請說明二極體空間電荷與空乏區之定義。若一二極體具有NA = 1018 /cm3, ND = 1015 /cm3,請計算其內建電壓。(9分)

詳解 (共 2 筆)

詳解 提供者:hchungw

PN接面中空乏層的形成

在PN接面中,由於載子濃度的梯度,電洞電子會通過擴散作用的形式分別向摻雜濃度低的N區、P區移動。擴散作用產生的少數載子會產生一個內在電場。這個電場會使載子發生漂移運動,這一運動與擴散的方向正好相反,二者會達成動態平衡。這兩種作用的結果是在PN接面處形成一個電子、電洞都很稀少的空乏層。因為空乏層中載子少,其特徵類似電容,這一電容也被稱為結電容。 當給PN接面加正偏壓時,空乏層變薄。當給PN接面加負偏壓時,空乏層變厚。(WIKI)


空乏層 - 維基百科,自由的百科全書 (wikipedia.org)

詳解 提供者:hchungw

613063e45e5e5.jpg