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107年 - 107 高考三級 材料分析#70938
> 申論題
六、光斑大小(probe size)是決定掃描式電子顯微鏡(SEM)的空間解析度重要因素之 一。請論述 SEM 中每個電磁稜鏡對光斑大小的決定機制與其影響。 (10 分)
相關申論題
一、可以利用 X 光繞射光譜(diffraction spectrum)或是電子繞射圖譜(diffraction pattern) 來分析晶體的晶格常數(lattice constant) ,請論述那一個技術可以得到較準確的值? (10 分)
#284727
三、在單晶基板上成長多晶薄膜,此多晶薄膜常有不同程度之優選方位(preferred orientation)或織構(texture)的特性,進而影響材料物理性質。請詳述一個可以分 析優選方位或織構的分析技術,包含原理、方法及可得到的資訊。 (10 分)
#284729
四、差排(dislocation)常常是決定材料或元件性質的主要缺陷,請說明如何利用穿透式 電子顯微鏡(TEM)來呈現差排影像,並進而分析伯格向量(Burgers vector) ,包含 原理、成像條件、差排的影像對比及相對位置等。(10 分)
#284730
五、利用光學顯微鏡(OM)來觀察樣品之晶粒分布實驗中,如何知道總放大倍率?(3 分) 在低或是高倍率成像中較容易判斷樣品表面是否有拋光到完全平整?(2 分)請論述 其中的機制。(5 分)
#284731
七、想分析含鋰之化合物,請分別敘述針對鋰元素的定量與空間分布之最佳分析方法及 其原因與工作原理。 (10 分)
#284733
八、在電子能量損失光譜圖(EELS)中,可以將有用之資訊分成那幾區?(2 分)要利用 那一區及何種特徵來分析元素的化學組態?(3 分)並且說明其原理與機制?(5 分)
#284734
九、能量色散 X 射線光譜儀(EDX)技術是成分分析最常用的技術,請說明所有可能造 成誤判訊號峰(peaks)的原因。(10 分)
#284735
十、請說明同步輻射光源產生之機制, (5 分)對比於一般 X 光,在材料分析上同步輻射 光源有那些優勢?(5 分)
#284736
四、請說明掃描式電子顯微鏡呈像模式中二次電子影像(SEI)與背向散射電 子影像(BEI)之優缺點。(20 分)
#469132
(二)感應耦合電漿發射光譜圖(ICP-OES)可用來解析微量元素分析之原理。
#469131
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