申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：107年 - 107 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#73694
科目：半導體工程
年份：107年
排序：0

十、若於 Si（莫耳重：28.9 g/mol；密度：2.33 g/cm³）晶圓上以熱氧化方式成長 SiO₂（莫耳重：60.08 g/mol；密度：2.21 g/cm³ ）膜厚為 x，請說明將有多少 Si 會轉換成 SiO₂。（8 分）

詳解提供者：hchungw