題組內容

三、一個理想的p-Si/SiO2/n-Si (SOS)電容，在溫度T＝300°K，受體（acceptor）濃度（p型 區）NA＝施體（donor）濃度（n型區）ND = ni × e10 cm-3，ni 是矽的本質載子濃度， SiO2的厚度tox，電容面積A：（20 分）

⑴當外加偏壓VG＝？時，電容達到平帶（flat-band）條件。