申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983
科目：半導體元件
年份：99年
排序：0

三、一個理想的p-Si/SiO₂/n-Si (SOS)電容，在溫度T＝300°K，受體（acceptor）濃度（p型區）NA＝施體（donor）濃度（n型區）ND = n_i× e¹⁰ cm^-3，n_i是矽的本質載子濃度， SiO₂的厚度t_ox，電容面積A：（20 分）

⑴當外加偏壓V_G＝？時，電容達到平帶（flat-band）條件。