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半導體工程
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102年 - 102 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39522
> 申論題
題組內容
四、下圖是一個 n 型半導體的電子濃度與溫度倒數之間的關係圖。圖中可以分為三段區域：
⑵區域⑶之中電子的主要來源是什麼？（3 分）
相關申論題
⑴說明重摻雜半導體為什麼會出現能隙窄化（bandgap narrowing）的現象？（6 分）
#117900
⑵能隙窄化對雙極接面電晶體之射極注入效率（emitter injection efficiency）因數 γ 有何影響？（6 分）
#117901
⑴多數載子會在上圖半導體那一邊堆積？此半導體為 n 型抑或是 p 型？（5 分）
#117902
⑵求多數載子的遷移率（majority carrier mobility）。（5 分）
#117903
⑶求多數載子的濃度（majority carrier concentration）。（5 分）
#117904
⑴說明這兩種二極體的電流傳導的主控機制有何不同？（6 分）
#117905
⑵說明這兩種二極體的順向偏壓電流及開啟電壓（turn-on voltage）有何不同？ （6 分）
#117906
⑶說明這兩種二極體的切換特性有何不同？ （6 分）
#117907
⑴區域⑴之中電子的主要來源是什麼？（3 分）
#117908
⑶由區域⑴之中的斜率可決定此半導體的什麼參數？（3 分）
#117910
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