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102年 - 102 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39522

科目：半導體工程 | 年份：102年 | 選擇題數：0 | 申論題數：21

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (21)

⑴說明重摻雜半導體為什麼會出現能隙窄化（bandgap narrowing）的現象？（6 分）
⑵能隙窄化對雙極接面電晶體之射極注入效率（emitter injection efficiency）因數 γ 有何影響？（6 分）
⑴多數載子會在上圖半導體那一邊堆積？此半導體為 n 型抑或是 p 型？（5 分）
⑵求多數載子的遷移率（majority carrier mobility）。（5 分）
⑶求多數載子的濃度（majority carrier concentration）。（5 分）
⑴說明這兩種二極體的電流傳導的主控機制有何不同？（6 分）
⑵說明這兩種二極體的順向偏壓電流及開啟電壓（turn-on voltage）有何不同？ （6 分）
⑶說明這兩種二極體的切換特性有何不同？ （6 分）
⑴區域⑴之中電子的主要來源是什麼？（3 分）
⑵區域⑶之中電子的主要來源是什麼？（3 分）
⑶由區域⑴之中的斜率可決定此半導體的什麼參數？（3 分）
⑷由區域⑶之中的斜率可決定此半導體的什麼參數？（3 分）
⑸圖中半導體中的施體摻雜濃度是多少？（3 分）
⑴在剛開始氧化的初期，求氧化物厚度 xox =？（表示為 t 之函數）（5 分）
【已刪除】 ⑵當氧化反應持續很久之後，求氧化物厚度 xox =？（表示為 t 之函數）（5 分） 下列實驗數據是在 920°C 下進行溼氧化所得到的原始成長速率關係： 由上述實驗數據求該氧化製程的係數：
⑶ A=？（5 分）
⑷ B=？（5 分）
⑴那一個結晶平面是 KOH 蝕刻速率特別低的平面？（5 分）
⑵造成此結晶平面蝕刻選擇性的起源為何？（5 分）
⑶什麼材料可以作為 KOH 蝕刻的罩幕材料？（5 分）
⑷什麼材料可以作為 KOH 蝕刻停止（stop）？（5 分）