⑵在製作矽元件或矽積體電路時，我們常用氮化矽（Silicon Nitride，Si3N4）作為絕緣層或披覆層（Passivation Layer），如果要以氮化矽作為絕緣層與披覆層，應該分別使用何種技術成長？請說明原因。（每小題 10 分，共 20 分）

⑵對於一金屬與半導體的蕭特基接觸（Schottky Contact），半導體為 n 型矽單晶材料，它的能隙（Energy Gap）是 1.1 eV，電子親和力（Electron Affinity）是 4.05 eV，功函數（Work Function）是 4.15 eV；金屬為金，它的功函數是 5.1 eV。請問蕭特基能障是多少？此值會和我們實際量測計算的能障值常常會有所不同，請說明原因。（每小題 10 分，共 20 分）