題組內容

四、

⑵在金屬-氧化層-半導體所形成的空乏型（depletion-mode）金氧半場效應電晶體 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）中，若半導體為 n 型，它的臨界電壓是正值或負值？請說明理由。（10 分）