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申論題

試卷：99年 - 99 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#40771
科目：半導體工程
年份：99年
排序：0

申論題資訊

試卷：99年 - 99 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#40771
科目：半導體工程
年份：99年
排序：0

題組內容

四、

申論題內容

⑵在金屬-氧化層-半導體所形成的空乏型（depletion-mode）金氧半場效應電晶體 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）中，若半導體為 n 型，它的臨界電壓是正值或負值？請說明理由。（10 分）