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半導體工程
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99年 - 99 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#40771
> 申論題
題組內容
一、
⑵請分別繪出室溫時 n 型矽與砷化鎵半導體之速度對電場的關係圖。（10 分）
相關申論題
⑴請分別說明並解釋 n 型半導體在高溫與低溫時電子移動率（electron mobility）的 限制因素。（10 分）
#126233
⑴在 pn 二極體的電流對電壓的特性曲線中，若電流取對數，電壓為線性，請繪出 對數電流對順向電壓（log（I）-V）的特性曲線圖，並說明各線段的電流物理機 制。（10 分）
#126235
⑵有一金屬和 n 型半導體形成一個接面（junction），如果金屬的功函數（work function）qφm 大於 n 型半導體的功函數 qφsc，則此接面為蕭特基接觸（Schottky contact）或歐姆接觸（Ohmic contact）？請說明原因。（10 分）
#126236
⑴請繪出 npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT）工作於作用區 （active region）的能帶圖，並說明電子的傳輸過程。（10 分）
#126237
⑵對於 npn 雙極性接面電晶體，如果要得到較高的電流增益（β）值，基極（base） 的濃度與厚度應該如何設計？這樣的設計對元件的高頻響應有什麼影響？請說明 之。（10 分）
#126238
⑴在金屬-氧化層-半導體所形成的電容（Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor， MOS capacitor）中，若半導體為 n 型，試畫出此金屬-氧化層-半導體電容在低頻 與高頻的電容對電壓的（capacitance-voltage，C-V）特性曲線圖，並解釋所繪出 的特性曲線圖。（10 分）
#126239
⑵在金屬-氧化層-半導體所形成的空乏型（depletion-mode）金氧半場效應電晶體 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）中，若半導體為 n 型，它的臨界電壓是正值或負值？請說明理由。（10 分）
#126240
⑴請說明在光微影蝕刻（optical lithography）技術中，紫外光所扮演的角色。（10 分）
#126241
⑵請說明在光微影蝕刻技術中，比較使用正光阻與負光阻的優缺點。（10 分）
#126242
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
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