題組內容

五、長通道 n 型 MOS 電晶體操作在三極管區（triode region）時的 I-V 方程式是

⑵當通道變短汲極電壓使得電子在水平方向的速度飽和時（不考慮通道的串聯電阻）， 說明上式需如何修正？（7 分）