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101年 - 101 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#44923
> 申論題
題組內容
二、考慮圖 1 之FET放大器，若V
t (on)
= 2V， k' n (W/L) = 1 mA/V
2
，V
GS
= 4V，V
DD
= 10V，且 RD = 3.6 kΩ。
⑵計算在偏壓點之互導g
m
值。（5 分）
相關申論題
⑴計算接面的內建電壓（built-in voltage）。（5 分）
#149467
⑵當未加外加電壓時，求空乏區寬度（Wdep），以及它伸展入p區及n區的寬度。（5 分）
#149468
⑶求儲存在接面任一邊的電荷大小。（5 分）
#149469
⑷計算接面電容Cj。（5 分） （註：矽材料之介電係數為 11.7ε0 = 1.04 × 10-12 F/cm，VT = kT/q = 0.025V） ′
#149470
⑴求直流偏壓ID與VD。（5 分）
#149471
⑶計算電壓增益值vd/vgs。（5 分）
#149473
⑴將圖 2 電路的vO表示成v1與v2的函數。（5 分）
#149475
⑵由v1看到的輸入電阻為何？（5 分）
#149476
⑶由v2看到的輸入電阻為何？（5 分）
#149477
⑷由連接在兩個輸入端之間的信號源看到的輸入電阻為何？（5 分）
#149478
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