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半導體工程
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94年 - 94-2 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40580
> 申論題
題組內容
一、有一矽試片摻雜濃度 1.5×10
15
cm
-3
之硼離子，與濃度 8×10
14
cm
-3
之砷離子：
⑶計算全部之離子濃度。（5 分） （矽之本質濃度為 1.5×1010cm-3）
相關申論題
⑴請問此試片是 n 型或 p 型？（5 分）
#125257
⑵請計算電子與電洞濃度。（10 分）
#125258
二、金屬與半導體之接面有那兩類？若金屬之功函數(ϕm)< N型半導體之功函數(ϕs)，請 繪出金屬與N型半導體接面之能帶，並說明此類接面屬於那一類接面。（20 分）
#125260
⑴N+ -Al0.7Ga0.3As與本質之GaAs
#125261
⑵N+ - Al0.7Ga0.3As與p-GaAs （假設Al0.7Ga0.3As能隙為 1.85 eV，GaAs能隙為 1.42 eV，∆Ec=（2/3）∆Eg）
#125262
四、晶圓元件製作過程中，涉及晶圓預烤（Prebake）、光阻軟烤（Soft bake）、光阻 硬烤（Hard bake）等步驟，請說明此些步驟之目的。（15 分）
#125263
五、一片 6"晶圓被帶雙電子之離子以 1013 ions/cm2植入 1 分鐘，請問需多少beam current ？（10 分）
#125264
六、請說明太陽能電池之工作原理，並繪出電流-電壓關係圖，與標示出最大之功率點。 （10 分）
#125265
七、欲將 N 型半導體電性改為 P 型半導體，有那幾種做法？（5 分）
#125266
八、量測半導體電阻率時可用四點探針法，請說明其裝置與用此方法之優點。（10 分）
#125267
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