題組內容

二、一個 N+複晶矽-二氧化矽-p 型矽基板的 MOS 電容器內，當基板摻雜濃度減少時，請 說明下列各參數有何變化，並簡單解釋。（每小題 4 分，共 20 分）

⑸臨界電壓（threshold voltage）。