發光二極體(LED)的發光顏色主要取決於其半導體材料的___能隙 ______大小。例如,藍光 LED 通常使用____氮化鎵(GaN) _____等材料。
帶隙(band gap)、帶溝,或稱能隙(energy gap)、能帶隙(energy band gap)、禁帶寬度(width of forbidden band),在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。
氮化鎵(GaN、Gallium nitride)是氮和鎵的化合物,是一種III族和V族的直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體,可以在不使用非線性半導體泵浦固體雷射(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405 nm)雷射。