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101年 - 101 原住民族特種考試_三等_電力工程：電子學#44601
科目：
電子學 |
年份：
101年 |
選擇題數：
0 |
申論題數：
7
試卷資訊
所屬科目：
電子學
選擇題 (0)
申論題 (7)
一、請說明二極體在 p-n 接面之空乏區（depletion region）如何形成？同時說明二極體加 順向偏壓及反向偏壓時空乏區之變化。（20 分）
二、假設NMOS元件在閘極及源極加適當VGS 電壓，同時在汲極及源極加適當VDS 電壓 ，讓元件導通於三極管區（triode region），然後VDS再增加時，其IDS電流的變化為 何？同時說明其原因。（20 分）
⑴Q
1
及Q
2
之gm和ro之值。（10 分）
⑵A
f
（A
f
= V
o
/ I
s
）、R
in
及R
out
之值。（10 分）
四、請說明如何調整巴特沃濾波器（Butterworth filters）參數以得到所需之A
min
及過渡帶 （transition band）？（20 分）
⑴AM（midband gain）之值。（10 分）
⑵ 3 dB頻率f
H
之值。（10 分）
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