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101年 - 101 原住民族特種考試_三等_電力工程:電子學#44601
科目:
電子學 |
年份:
101年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
7
試卷資訊
所屬科目:
電子學
選擇題 (0)
申論題 (7)
一、請說明二極體在 p-n 接面之空乏區(depletion region)如何形成?同時說明二極體加 順向偏壓及反向偏壓時空乏區之變化。(20 分)
二、假設NMOS元件在閘極及源極加適當VGS 電壓,同時在汲極及源極加適當VDS 電壓 ,讓元件導通於三極管區(triode region),然後VDS再增加時,其IDS電流的變化為 何?同時說明其原因。(20 分)
⑴Q
1
及Q
2
之gm和ro之值。(10 分)
⑵A
f
(A
f
= V
o
/ I
s
)、R
in
及R
out
之值。(10 分)
四、請說明如何調整巴特沃濾波器(Butterworth filters)參數以得到所需之A
min
及過渡帶 (transition band)?(20 分)
⑴AM(midband gain)之值。(10 分)
⑵ 3 dB頻率f
H
之值。(10 分)
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