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104年 - 104 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#41686

科目：積體電路技術 | 年份：104年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (9)

一、現今半導體主流技術互補金氧半 CMOS 有何優缺點？（20 分）
二、⑴何謂 FinFET？（6 分）
⑵做在 Bulk wafer 與 SOI wafer 上的 FinFET 有何區別？各有何優缺點？（8 分）
⑶ FinFET 對當今半導體技術有何重要性？（6 分）
三、現今半導體技術為何需要金屬閘極、High-k 閘極氧化層和應力技術？請分別詳述 之。（20 分）
四、現今半導體電路和系統，如何達成節能省碳和 Low Power-High Speed？（20 分）
⑴ PN 和 PIN 型太陽能電池，各如何操作和供電？（7 分）
⑵那些因素會影響上述太陽能電池之轉換效率，請詳述之。 分） （7
⑶如何改進 PN 和 PIN 行太陽能電池之短路電流密度 Jsc 和開路電壓 Voc，請分述之。 （6 分）