109年 - 109 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#91527

科目：積體電路技術 | 年份：109年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (9)

一、請畫出一個由三個 NMOS 電晶體與兩個 PMOS 電晶體所組成的 CMOS 差動放大器（differential amplifier）的電路圖，並說明其工作原理。（20分）

二、在 VLSI 製程中為提高所製造的積體電路品質可以使用 strained silicon 的技術，試說明何謂 strained silicon？如何製作 strained silicon 元件？相較於正常製程，strained silicon 製程的元件有何優勢？（20分）

三、在現代 CMOS 半導體製程中，金屬連接線係用於連接各電晶體的端點。由於連接線複雜，這些金屬連接線的層數甚至已經高於十層。若將這些不同層的金屬連接線區分為較高層與較低層兩類，試說明這兩類金屬連接線之各自用途，其厚度之差異及原因。（12分）

(一) FinFET 之結構與優勢

(二)光罩與曝光程序

(三) Body Effect 之成因與影響

(四) DRAM and SRAM 之各自單一位元電路圖與優劣比較

(五) CMOS 晶片的功率消耗分類與其各自成因

(六) MOS 電晶體於線性區及飽和區之特性