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113年 - 113 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#123067
科目：
積體電路技術 |
年份：
113年 |
選擇題數：
0 |
申論題數：
12
試卷資訊
所屬科目：
積體電路技術
選擇題 (0)
申論題 (12)
一、請分別敘述半導體製程中所使用的蝕刻製程技術（Etching technology） 與舉離製程技術（Lift-Off technology），並比較兩者缺點及解決方案。 （20 分）
(一)一個具有介電層的金屬氧化半導體（MOS）元件，面積為 4 μm
2
，介電層厚度為10 nm，使用介電常數
（Dielectric constant）為 25 的五氧化 二鉭 (Ta
2
O
5
) 當介電層，當該 MOS 元件外加偏壓為 5 伏特時，試分別求出該 MOS 元件可以儲存的總電荷量與每平方公分產生的電子數。 （10 分） （設真空中介電常數ε
o
為
F/cm）
(二)試設計一個具有10 nH 電感值（L）的方形平面螺旋形積體電感，若電感圈數為 20，則所需的方形平面螺旋半徑應為多少？（10 分） （設真空中介磁常數μ
o
為
H/m ） （各小題均計算至小數點後第二位）
(一)點缺陷（Point defect）
(二)線缺陷（Line defect）
(三)面缺陷（Area defect）
(四)體缺陷（3-D defect）
(一)硼原子在矽晶體的擴散長度 L（Diffusion length）
(二)每單位面積的硼雜質原子總數
(三)在表面 x = 0 處的擴散梯度
（各小題均計算至小數點後第二位）
（誤差函數公式：
）
（誤差函數公式：
）
(一)這會產生何種效應？（4 分）
(二)如何解決改善？（6 分）
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（Dielectric constant）為 25 的五氧化 二鉭 (Ta2O5) 當介電層，當該 MOS 元件外加偏壓為 5 伏特時，試分別求出該 MOS 元件可以儲存的總電荷量與每平方公分產生的電子數。 （10 分） （設真空中介電常數εo為
F/cm）
H/m ） （各小題均計算至小數點後第二位）
）
）