107年 - 107 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#72434

科目：積體電路技術 | 年份：107年 | 選擇題數：0 | 申論題數：5

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (5)

一、何謂短通道效應？何謂 DIBL？如何克服這些效應？（20 分）

二、什麼是 MOSFET 的串接電阻？串接電阻太大會有什麼影響？如何降低串接電阻？請說明並畫出示意圖。（20 分）

三、現在半導體技術的主流是鰭式場效應電晶體（FinFET），未來技術節點可能應用垂直奈米線金氧半場校體（Nanowire MOSFET），為什麼要用 FinFET 和 Nanowire MOSFET？試繪出其架構圖，並描述主要目的。（20 分）

四、積體電路製程中，主要有那三種隔離技術？請繪圖說明之。（20 分）

五、電路或系統中利用 LOW POWER SUPPLY 會有何優缺點？為什麼？元件如何設計才能充分利用 LOW POWER SUPPLY 來達成低功率消耗？（20 分）