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104年 - 104 初等考試_電子工程：電子學大意#22087

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：104年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 圖中使用一 20 kΩ 的可變電阻構成一增益可調放大器，當電阻 R 值為多少時，最大增益為 51？
 (A)0.2 kΩ (B)0.4 kΩ (C)0.8 kΩ (D)1 kΩ
2 如圖所示為何種電路？
 
(A)CMOS 反相器 (B)NMOS 反相器 (C)PMOS 反相器 (D)pseudo-NMOS 反相器
3 雙極性接面電晶體為具有幾個端點之元件？ (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個
4 下圖電路中，由輸入端 V1和 V2所分別看到的輸入電阻 Rin1、Rin2為何？
 (A) Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 5 kΩ (B) Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 10 kΩ (C) Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 5 kΩ (D) Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 10 kΩ
5 有關一般二極體空乏區的敘述，下列何者錯誤？ (A)空乏區又稱空間電荷區 (B)空乏區中的載子極少，故電阻偏高 (C)空乏區的寬度隨逆偏電壓而增加 (D)空乏區中沒有電場存在
6 最簡單的截波電路所用的元件有： (A)電阻、電容 (B)電阻、二極體 (C)電容、二極體 (D)電容、變壓器
7 當 P 型及 N 型材料形成 PN 接面時，接面處會產生一空乏層，而 P 型側之空乏層內主要的帶電粒子為： (A)正離子 (B)負離子 (C)電子 (D)電洞
8 如圖所示之電路，輸入電壓 vi為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降皆為 0.7 V， 則其輸出之漣波值約為何？ 
(A)0.01 V (B)0.17 V (C)1.77 V (D)2.97 V
9 有一小訊號等效電路如下圖所示，已知 R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。
試求 Vg (s) / Vi(s) 在 f = 10 Hz 的值，其中 s = jω = j2πf ：
(A)接近-3 dB (B)接近-5 dB (C)接近-8 dB (D)接近-12 dB
10 在矽單晶體內，加入何種雜質會形成 P 型半導體？ (A)碳（C） (B)硼（B） (C)磷（P） (D)鉀（K）
11 已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 10℃約成為原先之兩倍。在溫度 25℃時的逆向飽和電流為 3 nA， 當逆向飽和電流增加到 24 nA，則溫度約升到幾度？ (A)35℃ (B)45℃ (C)55℃ (D)65℃
12 圖示理想二極體電路中，輸入 vI為弦波，其峰值電壓為 10 V，若輸出 v0的漣波很小，可忽略不計，則二極 體 D 的逆向電壓峰值 PIV 約為若干？ 
(A)10 V (B)14 V (C)20 V (D)28 V
13 下圖為一個 CMOS 邏輯電路，請問輸出 F 為何？

 (A) F =  + AB (B) F = B+ A (C) F = AB (D) F = 
14 分析以下之電路，若稽納（Zener）二極體之崩潰電壓為 6 V，二極體之導通電壓為 0.7 V，則流過二極體之 電流為何？
 (A)3.25 mA (B)4.3 mA (C)6.6 mA (D)8 mA
15 如圖所示之電路，假設每個二極體的順向壓降為 0.7 V，且順向電阻為 0，則 Io約為： 
(A)0.3 mA (B)1.2 mA (C)2.1 mA (D)2.4 mA
16 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。則電阻 10 kΩ 上之電流為何？ 
(A)0.63 mA (B)0.73 mA (C)0.83 mA (D)0.93 mA
17 如圖所示之二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電壓 vs (t) = 12 sin (120 πt)V、R = 10 kΩ、 C = 47 μF。試求電容 C 的充電頻率為何？ 
(A)30 Hz (B)60 Hz (C)90 Hz (D)120 Hz
18 如圖所示之電路，若 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利效應（Early Effect）與所有其他電容，假使此 電路之功率消耗為 2 mW 且-3 dB 頻寬為 1 GHz，熱電壓（Thermal Voltage）Vt = 26 mV，求其最大電壓增益 約為何？ 
(A)2.45 (B)3.45 (C)4.45 (D)5.45
19 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗，下 列何種調整方式無法增加放大器之頻寬？ 
(A)減低 CL (B)增加 Vb (C)加大偏壓電流 I (D)選用寬長比（W / L）較大之元件
20 如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點閘源極電壓 VGS為-2.8 V，汲極電流 ID為 4.5 mA， IDSS為 16 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）VP為-6 V，不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗 rd 的影響， 則此放大器的電壓增益 約為多少？ 
(A)8.6 (B)4.2 (C)2.5 (D)0.8
21 一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的 MOSFET，若其汲極電流 ID 增為 4 倍，則其轉導 （Transconductance）參數 gm的值會如何變化？ (A)增為 4 倍 (B)增為 2 倍 (C)減為一半 (D)減為四分之一
22 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流 IC = 2 mA，電流放大率 β = 100，則其 轉導（Transconductance）gm約為若干 mA/V？ (A)20 (B)40 (C)80 (D)100
23 接成共射極組態的雙極性接面電晶體（BJT）放大器，其通常之特性為何？ (A)僅具電流放大特性 (B)僅具電壓放大特性 (C)兼具電流與電壓放大特性 (D)沒有電流或電壓放大特性
24 如圖所示放大器，若 BJT 電晶體操作於順向主動區（Forward Active Region）且忽略爾利效應（Early Effect）， Vi為輸入，Vo為輸出，下列敘述何者錯誤？
 (A)該放大器為同相放大器 (B)增加 R1則增益增加 (C)增加 R2則增益增加 (D)增加 Ib則增益增加
25 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 0.5 V；又 VDD = 5 V，RD = 2 kΩ， I = 1.5 mA。若要維持電晶體工作於飽和模式，則輸入電壓 vI之最大直流值 VI max為多大？ 
(A)5 V (B)2.5 V (C)2 V (D)0 V
26 下圖為 npn 電晶體之混合 π 等效電路。假設此電晶體在集極電流 IC = 1 mA 時其相關參數為 β = 100、Cμ= 0.08 pF、 Cπ = 0.22 pF，且熱電壓 Vt = 0.026 V。請問此電晶體短路電流增益的 3 分貝頻率 fβ 約為多少？ 
(A)166 MHz (B)174 MHz (C)180 MHz (D)204 MHz
27 圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 β = 100，電流 I = 1 mA，則輸入阻抗 Rin約為若干 kΩ？ 
(A)2 (B)20 (C)200 (D)500
28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 1 V，且其汲極-源極電 壓差 VDS = 4 V，閘極-源極電壓差 VGS = 2V，則此電晶體係操作在下列何種區域？ (A)截止區域（cut-off region） (B)三極管區域（triode region） (C)歐姆區域（ohmic region） (D)飽和區域（saturation region）
29 分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗 ro = 10 kΩ，Rb = 10 kΩ， RD = 10 kΩ，RS = 1 kΩ。試求輸出阻抗 Ro約為多少？ 
(A)20 kΩ (B)10 kΩ (C)7 kΩ (D)3 kΩ
30 如圖之差動對電路，電晶體之 gm = 4 mA/V，Vt = 0.5 V，RL = 10 kΩ，RD = 5 kΩ，RS = 0.25 kΩ，I = 0.8 mA， VDD = -VSS = 5 V，求使電晶體維持工作於飽和模式之共模輸入電壓之最大值 VCMmax為何？
(A)2.5 V (B)3 V (C)3.5 V (D)5 V
31 下列有關於以運算放大器組成之韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge Oscillator）的描述，那一項正確？ (A)正回授電路是 LC 電路 (B)負回授電路是電阻組成之分壓電路 (C)正回授電路的相移是 90° (D)正回授量小於負回授量
32 如圖所示之理想運算放大器電路，其 -3 dB 頻率為何？ 
(A)65.5 kHz (B)75.5 kHz (C)85.5 kHz (D)95.5 kHz
33 如圖之理想運算放大器電路，下列敘述何者正確？
 (A)VR2之波形為方波 (B)VR2之波形為三角波 (C)VR2之波形為正弦波 (D)VR2之波形為直流
34 有一電路的轉移函數，頻率為 10 rad / sec 時，增益約為若干 dB？ (A)0 (B)20 (C)40 (D)60
35 下列何者是影響放大器高頻響應衰減的因素？ (A)旁路電容 (B)耦合電容 (C)電晶體的內部電容 (D)電源供應器的濾波電容
36 如圖所示放大器，外接電容為 CC1、CC2和 CS，MOSFET 的寄生電容為 Cgs和 Cgd。當電壓增益的絕對值  越大時，有關此放大器的頻率響應頻寬 BW，下列敘述何者正確？ 
(A) 越大，BW 越寬 (B) 越大，BW 越窄 (C) 與 BW 之間不是絕對的正向或反向關係，BW 主要受其他參數而變寬變窄 (D) 與 BW 無關係，BW 不受  影響
37 一個 MOS 疊接放大器（Cascode Amplifier）主要是用來達成下列那一個功能？ (A)降低輸出電阻 (B)提高電流增益 (C)提高輸入電阻 (D)提高頻寬
38 有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function） F(s) = VO (s)/V  I  (s)，其中 s = jω = j2πf ：
，欲估計此放大器在高頻的 3 dB 頻率 f 3dB，下列何者正確？ (A)接近 5 kHz (B)接近 10 kHz (C)接近 50 kHz (D)接近 100 kHz
39 下圖為由理想運算放大器所組成之考畢子振盪器電路，其振盪頻率為何？
40 分析以下之電路，若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA / V；BJT 操作在順向主動區（Forward Active Region）且轉導值 gm為 10 mA / V，β = 10。忽略元件之輸出阻抗 ro，試求 Vo / Vi =？
 (A)55/6 (B)55/3 (C)-55/6 (D)-55/3

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