試題詳解

28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）之臨界電壓（Threshold Voltage）V_t = 1 V，且其汲極-源極電 壓差 V_DS = 4 V，閘極-源極電壓差 V_GS = 2V，則此電晶體係操作在下列何種區域？
(A)截止區域（cut-off region）
(B)三極管區域（triode region）
(C)歐姆區域（ohmic region）
(D)飽和區域（saturation region）