28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)之臨界電壓(Threshold Voltage)Vt = 1 V,且其汲極-源極電 壓差 VDS = 4 V,閘極-源極電壓差 VGS = 2V,則此電晶體係操作在下列何種區域?
(A)截止區域(cut-off region)
(B)三極管區域(triode region)
(C)歐姆區域(ohmic region)
(D)飽和區域(saturation region)

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統計: A(7), B(15), C(18), D(218), E(0) #841426

詳解 (共 6 筆)

#2260771
歐姆=三極體區
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#1190782


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#2260832
這樣題目 B C 不是一樣了  謝謝 你...
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#2259824
請問歐姆區 和 三極管區 差別在哪??
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#3713451
操作在飽和區的條件: 1. VGS>...
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#2790397
Vgd = Vgs - Vds = 2 ...
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私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#5710981
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初等/五等/佐級◆電子學大意...

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私人筆記#7635085
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