104年 - 104 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#35133

科目：半導體工程 | 年份：104年 | 選擇題數：0 | 申論題數：10

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (10)

⑴對一室溫下低摻雜的 n 型半導體，假如溫度升高，請說明它的費米能階（Fermi Level）是偏近導帶還是偏離導帶？請說明原因。（10 分）

⑵請寫出 pn 二極體中的接面定律（Law of the Junction）方程式，並說明其物理意義。（10 分）

⑴關於 npn 雙極性電晶體，若基極（Base）區使用漸進式（Graded）濃度的結構，請說明它可以提供的優點。（10 分）

⑵高電子遷移率電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）為常用於高頻通訊的元件之一，因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射（Impurity Scattering）效應而提升二維電子雲（Two-Dimension Electron Gas, 2DEG）的電子遷移率之優點；但在室溫或較高溫度時仍然會受到晶格散射（Lattice Scattering）的影響，能提升電子遷移率的效應有限。然而，我們都是在室溫使用這種元件於通訊裝置，請說明高電子遷移率電晶體在室溫可以提供的優點。（10 分）

⑴為什麼在金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道所計算的載子遷移率和一般半導體材料（semiconductor material）量測的載子遷移率是不同的？請說明原因。（10 分）

⑵請說明什麼是鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor, FinFET），它有什麼優點？（10 分）

⑴請分別繪出由擴散與離子佈植所形成的摻雜濃度對深度的分布圖，並說明它們之間的差異。（10 分）

⑵以熱氧化法成長的二氧化矽（SiO2）薄膜，起初成長的二氧化矽薄膜厚度與時間成線性關係，隨著時間增長，二氧化矽薄膜厚度與時間的開根號成正比。請說明這兩者的物理機制，這兩種機制分界處的二氧化矽薄膜厚度約為多少？（10 分）

⑶請比較使用銅優於鋁作為導線製程技術的原因，至少列出三項。（10 分）

⑷請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點，至少列出四項。（10 分）