104年 - 104 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#22475

科目：半導體工程 | 年份：104年 | 選擇題數：0 | 申論題數：10

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (10)

(一)此 Si 晶片之多數載子（majority carriers）為何種型態，n 型或 p 型？又此多數載子之濃度為何？（10 分）

(二)此 Si 晶片之電阻係數（resistivity）約為多少？設 Si 之 ni = 10¹⁰ cm ^-3，且電子與電洞之移動率各為 μn = 1600（公分）² ∕（伏特．秒）與 μp = 450（公分）² ∕（伏特．秒）。（10 分）

(一)若此元件之固定氧化電荷（fixed oxide charge），Q_F為每平方公分 10¹²的電子電荷，則其平帶電壓，V_FB，應為多少？（10 分）

(二)若此元件之空乏區電荷 Q_dep為 1.6×10^-7 C/ cm² ，則其臨界電壓 V_T為何？又此元件為增強型或是空乏型（enhancement-mode or depletion-mode device），請說明理由？（10 分）

(一)何謂 MOSFET 之短通道效應？為何會發生此效應？又此效應發生時會對元件之特性產生何種利或弊？為什麼？（10 分）

(二)何謂後退的濃度分布（retrograde channel doping profile），又其較常用於長通道 MOSFET 或短通道 MOSFET 之製作？為什麼？（10 分）

(一)此金屬∕Si 接觸之 Schottky 能障，Ф_B，及空乏區寬度，W，各為何？（10 分）

(二)若欲將此金屬∕Si 接觸製作成歐姆態（ohmic metal-Si contact），則應作何處理？（設 Si 之ε_Si為 1.0×10^-12 F/cm）（10 分）

(一)成長一單位體積之 SiO₂時，將消耗多少體積之 Si？（10 分）

(二)下列右圖中之Δ d 為多少 μm？（10 分）