申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：104年 - 104 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#22475
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

一、有一均勻摻雜之 Si 晶片在 T = 300 K 時之能帶圖如下所示，求：

(二)此 Si 晶片之電阻係數（resistivity）約為多少？設 Si 之 ni = 10¹⁰ cm ^-3，且電子與電洞之移動率各為 μn = 1600（公分）² ∕（伏特．秒）與 μp = 450（公分）² ∕（伏特．秒）。（10 分）