(二)此 Si 晶片之電阻係數（resistivity）約為多少？設 Si 之 ni = 1010 cm -3，且電子與電洞之移動率各為 μn = 1600（公分）2 ∕（伏特．秒）與 μp = 450（公分）2 ∕（伏特．秒）。（10 分）