五、已知純 Si 之原子密度為 5×10
22
cm
-3，而 SiO
2之分子密度為 2.2×10
22
cm
-3。設有一氧
化製程如下列程序：
①初始為<100> 之 P 型 Si 晶片
②成長 400 nm 之氧化層
③進行微影蝕刻（Lithography）
④乾蝕刻（Dry etch）氧化層 400 nm
⑤去光阻
⑥擴散（diffuse）磷雜質以得到（n+）區
⑦濕氧化（wet oxidation）t 分鐘
下列左圖表示經步驟 6 後得到之結構，若將之再進行步驟 7 之氧化後其結構則如下列右圖。
試依據氧化的理論，計算：
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