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105年 - 105 初等考試_電子工程：電子學大意（重複）#52901

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：105年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？ (A)直流偏壓在主動區 (B)輸入電流為零 (C)共模輸出訊號是無限大 (D)輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源
2 如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若 R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當 Vi = 0.2 V 時，求流經 R2 電流為多少？ (A)2 μA (B)10 μA (C)20 μA (D)0.2 mA
3 如圖所示 CMOS 反相器電路，使用電壓源為+3.3 V，反相器之輸出負載為一個電容 CL = 1 pF，若輸 入訊號 vI之交換頻率為 1 MHz，則此電路之消耗功率約為多少？ (A)3 μW (B)6 μW (C)11 μW (D)14 μW
4 場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於： (A)本體效應（Body effect） (B)通道長度調變效應（Channel length modulation effect） (C)溫度效應（Temperature effect） (D)密勒效應（Miller effect）
5 雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）gm定義為： (A) (B) (C) (D) 
6 如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為 ±14 V，在其飽和前，iL的最大值 約為何？ (A)4.7 mA (B)4 mA (C)2 mA (D)1.4 mA
7 下列那一個元件的端點數最多？ (A)電阻 (B)二極體 (C)雙極性接面電晶體 (D) MOS 電晶體
8 有關 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大 (B)溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓越大 (C)雜質濃度較濃之一側，空乏區較小 (D)逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）
9 如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當 Vi = 11 V 時，Vo為多少伏特？ (A)-11 (B)-9 (C)-7 (D)-5
10 如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的 VZ = 6 V，崩潰的最小工作電流 IZK = 2 mA，欲稽納 二極體在崩潰區工作，有關電阻 RL的敘述，下列何項正確？ (A)最大值為 1 kΩ (B)最小值為 1 kΩ (C)最大值為 750 Ω (D)最小值為 750 Ω
11 如圖所示電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？ (A)0.2 V (B)2 V (C)6 V (D)10 V
12 當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？ (A)崩潰（Breakdown）區 (B)順向偏壓區 (C)逆向偏壓區，但尚未崩潰 (D)原點
13 如圖所示理想運算放大器電路，vI為輸入電壓、vO為輸出電壓，本電路為： (A)濾波電路 (B)箝位電路 (C)截波電路 (D)倍壓電路
14 二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？ (A)不變 (B)變寬 (C)變小 (D)不一定
15 有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？ (A)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 180° (B)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差 0° (C)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 0° (D)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差 180°
16 雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益 α = 0.98，試問：其共射極電流增益 β 為多少？ (A) 49 (B)70 (C)98 (D)198
17 如圖所示電路，當輸入電壓 vI = 0 時，輸出電壓 vO 為： (A)+VCC (B)0 (C)-0.7 V (D)-VCC
18 如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 β = 100，電流 I = 1 mA，則電壓增益 Av約為若 干？ (A)-40 (B)-20 (C)-10 (D)-5
19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述 何者錯誤？ (A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益 (B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL (C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益 (D)增加 RL可提高放大器之電壓增益
20 在下列 MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？ (A)共源（CS）放大器 (B)共閘（CG）放大器 (C)共汲（CD）放大器 (D)疊接（Cascode）放大器
21 如圖所示電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，電晶 體之 β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出阻抗（Ro）約為多少？ (A)2.5 kΩ (B)4.5 kΩ (C)6.5 kΩ (D)8.5 kΩ
22 雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為： (A)BE 間逆偏，CB 間順偏 (B)BE 間順偏，CB 間逆偏 (C)BE 及 CB 間均逆偏 (D)BE 及 CB 間均順偏
23 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻 抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi為何？ (A)10 V/V (B)5 V/V (C)2.5 V/V (D)1.25 V/V
24 一個長通道 N 增強型 MOSFET，Vth = 1 V，當 VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時，ID = 0.8 mA；當 VGS = 2 V、 VDS = 4.5 V 時，ID 為何？ (A)0.8 mA (B)0.4 mA (C)0.2 mA (D)0.1 mA
25 一 N 通道增強型 MOSFET 的 Vt = 2 V，若 VG = 3 V 且 VS = 0 V，又此元件工作於三極區（Triode Region），則汲極的電壓 VD 約為： (A)2.5 V (B)2.0 V (C)1.5 V (D)0.5 V
26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？ (A)電流 ID越大，則轉導值（gm）越小 (B)Cgs＞Cgd (C)ID越大，ro越小 (D)過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大
27 有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？ (A)單一增益頻率值與外部電路元件相關 (B)單一增益頻率值與轉導值成反比 (C)共源極架構中短路電流增益為 1 時之頻率 (D)共源極架構中開路電壓增益為 1 時之頻率
28 共源極放大器之低頻 3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？ (A)輸入端耦合電容 (B)輸出端耦合電容 (C)源極旁路電容 (D)電晶體內部電容
29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF，其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端 至地之等效電容為 C2，試求 C2 / C1的比值？ (A)接近 0 (B)接近 1 (C)接近 50 (D)接近 100
30 已知 A 及 B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為 A1及 A2，輸入阻抗分別為 Ri1及 Ri2，輸 出阻抗分別為 Ro1及 Ro2；若將 A 的輸出端連接至 B 的輸入端，則整體的電壓增益為何？ (A) A1+A2 (B)A1A2 (C)(D)
31 一直流增益 80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為 ft = 10 MHz，被用來設計一直流增益為 100 的非反相放大器，求此非反相放大器的單一增益頻率值？ (A)100 kHz (B)1 MHz (C)10 MHz (D)100 MHz
32 有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 μV，另一端輸入 Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益 Ad為 100， 而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？ (A)2.75 mV (B)3.75 mV (C)4.75 mV (D)5.75 mV
33 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V；BJT 操 作在主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，β = 40。若忽略元件之輸出阻抗（ro）， 試求 Vo / Vi 之值？ (A) -400 (B)-100 (C)-80 (D)-40
34 如圖所示韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪器，其振盪角頻率為何？ (A) 1k rad/s (B)2k rad/s (C)5k rad/s (D)10k rad/s
35 如圖所示低通濾波器電路之 3 分貝（或截止）頻率約為多少？ (A)3 kHz (B)5 kHz (C)6 kHz (D)8 kHz
36 有關 Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？ (A)可濾除高頻信號 (B)濾波器轉移函數只有極點頻率，沒有零點頻率 (C)當階數愈低，愈接近理想低通濾波器的濾波特性 (D)當階數愈高，通帶的平坦性愈佳
37 如圖所示波形產生電路，U1為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。 對於電容 C 兩端電壓 VC可能之波形，下列敘述何者正確？ (A)接近正弦波 (B)接近方波 (C)接近三角波 (D)接近一直流準位
38 如圖所示差動對電路，電晶體之 β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取 VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當 vB1 = vB2 = 0 時，iC1(iC2)之值約為何？ (A)0 mA (B)0.01 mA (C)1 mA (D)2 mA
39 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，忽略其 輸出阻抗（ro），該放大器之高頻 3-dB 頻率（ωH）為何？ (A) 1 GHz (B)20 MHz (C)1.59 MHz (D)318 kHz
40 如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的輸出電 阻 RO約為何？ (A) RC (B) RE (C) ro+ RC (D) ro+ RE

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