26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？
(A)電流 ID越大，則轉導值（gm）越小
(B)Cgs＞Cgd
(C)ID越大，ro越小
(D)過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大

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統計： A(125), B(5), C(7), D(8), E(0) #1339915

詳解 (共 1 筆)

#1535214

(A)gm=ID/VT 故A錯

(B)敘述正確 但通常經過米勒效應CIN將遠大於Cgs

(C)VA/ID=ro 敘述正確

(D)gm=2*K(Vov) 敘述正確 

PS:其實gm=ID電流式子對Vgs偏微分等於gm

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私人筆記#7595168
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