107年 - 10704 臺北捷運：電子學概要#84238

科目：捷運◆電子學概要 | 年份：107年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：捷運◆電子學概要

選擇題 (50)

1. 下圖所示的理想運算放大器，屬於何種形式？
(A)正規化輸入 (B)非正規化輸入 (C)反向輸入 (D)非反向輸入。

2. 承上題，V_in=6V，R₁=200kΩ，R_f =400kΩ，電壓 V_o為多少伏特？ (A)+24 (B)-24 (C)+12 (D)-12。

3. 放大器元件中，共模信號指的是哪一類信號？ (A)週期性信號 (B)雜訊 (C)偏壓電壓 (D)偏壓電流。

4. 下圖所示的放大器，何項條件滿足時，共模增益(V_o/V_in)為零？
(A) (B) (C)(D) 。

5. 放大器設計中，使用差動電路設計的主要原因為何? (A)增加增益 (B)降低電壓 (C)消除雜訊 (D)降低電流。

6. 如上圖用直流伏特計量測 Vo為多少伏特？ (A) (B) (C)10 (D)-10。

7. 接續第 6 題，流過二極體的最大電流為多少安培？ (A) (B) (C)5 (D)-5。

8. 接續第 6 題，二極體之峰值逆向電壓為多少伏特？ (A) (B) (C)10 (D)-10。

9. 接續第 6 題，用示波器量測 Vo，兩個峰值分別為多少伏特？ (A)0, −10 (B)0, 10 (C) (D) 。

10.如上圖所示電路，V_BE(ON)＝0.7V，電壓 V_CC=10 V，電阻 R_C=3KΩ， R_B=250KΩ，β=50。電流 I_B為多少毫安培？ (A)0.011 (B)0.023 (C)0.046 (D)0.069。

11. 接續第 10 題，電流 I_C為多少毫安培? (A)0.55 (B)3.45 (C)2.3 (D)1.15。

12. 接續第 10 題，電壓 V_C為多少伏特? (A)4.5 (B)5.5 (C)6.5 (D)7.5。

13. 下圖所示電路，電晶體的 V_BE(ON)＝0.7V，β＝20，R₁=2kΩ， R₂=20kΩ，R₃=10kΩ，且 V_i =22V，電壓 Vo最近似的值為何？
(A)9.1V (B)14.1V (C)19.1V (D)24.1V。

14. 如上圖所示的半加器，A、B 為輸入端， Σ為和，C_OUT為進位輸出端。 Σ與輸入 A、B 的布林代數關係式為何？ (A)Σ = A ∙ B (B)Σ = A⨁B (C)Σ= A + B (D)以上皆非。

15. 接續第 14 題，C_OUT與輸入 A、B 的布林代數關係式為何？ (A) C_OUT= A ⋅ B (B) C_OUT = A⨁B (C) C_OUT = A+B (D)以上皆非。

16.下圖所示的數位轉類比電路，屬於幾位元？
(A)4 (B)6 (C)8 (D)10。

17.接續第 16 題，參考電壓為 10 伏特，輸入為 10011001 時，輸出類比電壓為多少伏特? (A)5.98 (B)6.98 (C)7.98 (D)8.98。

18.如上圖所示電路，電晶體偏壓於作用區，rπ=1KΩ，β=200。運算放大器輸入阻抗為無窮大，輸出阻抗為零，增益 A_V為 1000。R_C=6KΩ， R_E=0.5KΩ，R_S=0.5KΩ，R_F=19.5KΩ。回授架構屬於何種型式? (A)串並 (B)並串 (C)串串 (D)並並。

19.接續第 18 題，此電路屬於下列何種形式? (A)轉導放大器 (B)轉阻放大器 (C)電壓放大器 (D)電流放大器。

20.接續第 18 題，電晶體轉導 g_m為多少 mA/V？ (A)100 (B)200 (C)300 (D)400。

21. 接續第 18 題，電壓增益多少 V/V？ (A)800 (B)−800 (C)600 (D)-600。

22.接續第 18 題，電壓增益多少 V/V？ (A)−20 (B)20 (C)-40 (D)40。

23.如上圖所示的串接放大器電路，第一級輸入阻抗 Z_i為多少？ (A)100kΩ (B)20kΩ (C)50Ω (D)16.7kΩ。

24.接續第 23 題，第二級 BJT 之 V_BE(ON)＝0.7V，電流 I_B為多少毫安培？ (A)0.3 (B)0.2 (C)0.1 (D)0.05。

25.接續第 24 題，第二級 BJT 之電流 IE為多少毫安培？ (A)5.1 (B)10.1 (C)20.1 (D)30.1。

26.接續第 23 題，第二級 BJT 之射極(Emitter)電阻 r_e為多少歐姆？ (A)9.92 (B)7.44 (C)4.96 (D)2.48。

27.續第 23 題，第二級 BJT 之基極(Base)電阻 r_π為多少歐姆？ (A)150.48 (B)250.48 (C)350.48 (D)450.48。

28.接續第 23 題，第二級之輸入阻抗 Z_i2為多少歐姆？ (A)250 (B)350 (C)450 (D)550。

29.接續第 23 題，第二級之輸出阻抗 Z_o為多少歐姆？ (A)3k (B)4k (C)5k (D)6k。

30. 接續第 23 題，第一級電晶體之轉導 g_m=200 (mA/V)，第一級之電壓增益為多少？ (A)-39.38 (B)-49.38 (C)-59.38 (D)-69.38。

31.接續第 23 題，第二級之電壓增益為多少？ (A)-3016 (B)3016 (C)-2016 (D)2016。

32.如上圖所示的類比濾波器電路，屬於何種形式？ (A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)帶拒。

33. 接續第 32 題，濾波器階數為何？ (A)4 (B)3 (C)2 (D)1。

34. 接續第 32 題，直流電壓增益為何？ (A)0 (B) (C) (D)

35.接續第 32 題，高頻電壓增益為何？ (A)0 (B) (C) (D) 。

36.接續第 32 題，3dB 角頻率為何？ (A) (B) (C) (D) 。

37. 接續第 32 題，濾波器函數為何? 註：a₀和 a₁為常數，不為零。 (A) (B) (C) (D) 以上皆非。

38. 接續第 37 題，濾波器函數的高頻電壓增益多少 dB？ (A)20log|a₀| (B)20log|a₁| (C)20log|a₀ + a₁| (D)

39.如上圖所示金氧半數位電路，Y 的布林表示式為何？ (A) (B)Y=A+B (C)Y = A ∙ B (D)

40.接續第 39 題，當 V_DD、A、B 電壓為 10V，電晶體 Q₃操作在哪一區？ (A)截止區 (B)三極區 (C)飽和區 (D) 以上皆非。

41. 接續第 39 題，當 V_DD、A、B 電壓為 10V，電晶體 Q₁和 Q₂操作在哪一區？ (A)截止區 (B)三極區 (C)飽和區 (D) 以上皆非。

42. 接續第 39 題，電晶體 Q₃的 V_t3=-1V，K₃=10uA/V²電流 I_D3為多少微安培？ (A)40 (B)30 (C)20 (D)10。

43. 接續第 39 題，電晶體 Q₁ 和 Q₂ 相同規格，V_t1 = V_t2 =2V， K₁ = K₂ = 100uA/V²，電流 I_D1為多少微安培？ (A)5 (B)10 (C)20 (D)40。

44.下圖所示電阻，棕黑紅表示電阻值為何？
(A)500Ω (B)1000Ω (C)2000Ω (D)3000Ω。

45.如上圖所示金氧半數位電路，它的邏輯閘功能？ (A)非反相器 (B)反相器 (C)或閘 (D)和閘。

46.接續第 45 題，下圖所示為輸入電壓對輸出電壓，第 I 區電晶體工作區域為？
(A)QN: off、QP: off (B)Q_N: off、Q_P:三極體 (C)Q_N:三極體、Q_P: off (D)Q_N:三極體、Q_P:三極體。

47.接續第 46 題，第 II 區電晶體工作區域為？ (A)Q_N:三極體、Q_P:三極體 (B)Q_N:三極體、Q_P:飽和 (C)Q_N:飽和、Q_P: 飽和 (D)Q_N:飽和、Q_P:三極體。

48.接續第 46 題，第 III 區電晶體工作區域為？ (A)Q_N:三極體、Q_P:三極體 (B)Q_N:三極體、Q_P:飽和 (C)Q_N:飽和、Q_P: 飽和 (D)Q_N:飽和、Q_P:三極體。

49.接續第 46 題，第 IV 區電晶體工作區域為？ (A)Q_N:三極體、Q_P:三極體 (B)Q_N:三極體、Q_P:飽和 (C)Q_N:飽和、Q_P: 飽和 (D)Q_N:飽和、Q_P:三極體。

50.接續第 46 題，第 V 區電晶體工作區域為？ (A)Q_N: off、Q_P: off (B)Q_N: off、Q_P:三極體 (C)Q_N:三極體、Q_P: off (D)Q_N:三極體、Q_P:三極體。

申論題 (0)