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108年 - 10801 臺北捷運：電子學概要#79355

科目：捷運◆電子學概要 | 年份：108年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：捷運◆電子學概要

選擇題 (50)

1. [ ] 如右圖所示之電路，D 為理想二極體， Vi=12 V，則電流 I 為何？ (A) 3mA (B) 4mA (C) 5mA (D) 6mA 5d8ad6dacabb0.jpg
2. [ ] 一般雙極接面電晶體(BJT)的摻雜度大小依序為: (A)E＞B＞C (B)B＞E＞C (C)E＞C＞B (D)B＞C＞E。
3. [ ] 下列何種放大器的效率最低? (A)A 類 (B)B 類 (C)AB 類 (D)C 類。

4. [ ] 右圖 Q1與 Q2對稱，且 Vi1=Vi2，在正常運作 下，RE阻值調高的影響為: (A) IE變小、VO1變低、VO不變 (B) IE變小、VO1變高、VO不變 (C) IE變大、VO1變低、VO不變 (D) IE變小、VO1變高、VO變高。5d8ad6e62355c.jpg

5. [ ] 右圖屬於何種電路? (A)積分器 (B)微分器 (C)反相放大器 (D)非反相放大器。5d8ad7797308f.jpg
6. [ ] 下列有關各類二極體的敘述，何者錯誤? (A)鍺二極體的切入電壓(Cutin Voltage)比矽二極體小。 (B)稽納二極體一般使用時，是在逆向偏壓下工作 (C)一般發光二極體在使用時，是在順向偏壓下工作 (D)發光二極體發光的波長與其偏壓電壓值成正比。

7. [ ] 右圖為雙極性接面電晶體的輸出特性曲線，其 中直線為負載線，A、B、C、D 為四個 IB不同 之工作點。請問那個工作點可以得到最大的輸 入訊號振幅? (A)A (B)B (C)C (D)D。5d8ad7871bd60.jpg
8. [ ] 帶電量 1.6×10-19庫侖的電子，通過 1 伏特的 電位差，所需的能量為何? (A) 1.6×10-19電子伏特(eV) (B) 1.6×10-19焦耳 (C) 1 焦耳 (D) 1 瓦特。
9. [ ] 下列何種 BJT 電晶體放大電路組態之功率增益最高？ (A)共閘極組態 (B)共集極組態 (C)共基極組態 (D)共射極組態。

10. [ ] 右圖所示之理想運算放大器電路，電流 I 為何？ (A) 0mA (B) 6mA (C) 10mA (D) 20mA。5d8ad7a6b5624.jpg
11. [ ] 共射極組態之雙極性接面電晶體開關在開路時，電晶體工作區域為 何？ (A)截止區 (B)作用區 (C)飽和區 (D)歐姆區。

12. [ ] 如右圖所示之電路，若 Vcc=20V，RL=50Ω， 則此放大器最大交流輸出功率為何？ (A) 4W (B) 3W (C) 2W (D) 1W。5d8ad7bf425c3.jpg
13. [ ] 下列有關差動放大器之敘述，何者錯誤？ (A) CMRR 越大越佳 (B)共模增益越小越好 (C)CMRR 越大越不能拒 絕共模信號 (D)差模增益越大且共模增益越小，差動放大器性能越 佳。

14. [ ] 如右圖所示之理想運算放大器電路，其高 頻電壓增益約為何？ (A) 0dB (B) -10dB (C) -15dB (D) -20dB。5d8ad7d07f4c4.jpg
15. [ ] PNP 電晶體工作在作用區時，下列敘述何者正確？ (A)基極電壓大於射極電壓 (B)集極電壓大於基極電壓 (C)射極電壓大於集極電壓 (D)集極電壓等於射極電壓。
16. [ ] 電晶體與真空管比較，下列何者為電晶體之優點？ (A)易生高熱 (B)消耗大量功率 (C)價格昂貴 (D)體積小。
17. [ ] 稽納二極體在電源調整電路中通常是作何種用途？ (A)作為控制元件 (B)提供參考電壓 (C)作為取樣電路 (D)作為誤差檢測。

18. [ ] 如右圖所示之電晶體放大器電路，下列何 者為 Q1 與 Q2 的連接方式？ (A)電感耦合 (B)電阻電容耦合 (C)變壓器耦合 (D)直接耦合。5d8ad7e04c41e.jpg
19. [ ] 下列關於變壓器耦合放大器的敘述，何者正確？ (A)效率較 RC 耦合放大器低 (B)頻率響應不佳 (C)不容易實現阻抗匹配 (D)容易以積體電路實現。
20. [ ] 下列關於 C 類放大器之敘述，何者錯誤？ (A)電晶體導通角度大於 180 度 (B)失真大於 B 類放大器 (C)轉換效率高於 B 類放大器 (D)可用於射頻調諧放大器。

21. [ ] 如右圖所示電路，Vi為輸入信號，RL為負載， 下列何者為此放大器電路組態？ (A) 共基極放大器 (B) 共射極放大器 (C) 共集極放大器 (D) 射極隨耦器。5d8ad8076b514.jpg
22. [ ] 有一差動放大器其差模增益 Ad=1000，共模增益 Ac=0.1，則其共模拒 斥比 CMRR 為何? (A)0.0001 (B)10000 (C)100 (D)1000.1。
23. [ ] 下列敘述何者錯誤？ (A) FET 具高輸入阻抗 (B) FET 增益與頻帶寬之乘積大於 BJT (C) FET 源極與汲極可以對調使用 (D) FET 受輻射影響較 BJT 小。
24. [ ] 若一電源頻率為 50Hz，經半波整流後，輸出電壓漣波頻率為何？ (A) 25Hz (B) 30Hz (C) 50Hz (D) 100Hz。

25. [ ] 如右圖所示之理想運算放 大器電路，若 R1=R2=R3=1k Ω，R4=20kΩ，Vi=1V，則 VO 為多少？ (A) -20V (B) -15V (C) 15V (D) 20V。 5d8ad8247ed22.jpg

26. [ ] 如右圖所示之穩壓電路，在正常工作下，當 Vs固定而 RL變大時，下列敘述何者正確？ (A) IS變大 (B) IL變大 (C) IL不變 (D) IZ變大。5d8ad850bf7f6.jpg

27. [ ] 如右圖所示之電路，其功能為何？ (A)電壓放大器 (B)峰值檢波器 (C)截位器 (D)定位器。5d8ad859916b2.jpg

28. [ ] 如右圖所示，下列答案之敘述，何者錯誤？ (A)輸出點為兩個電晶體的源極 (B)此電路接地之電晶體為 NMOS (C)實現這個電路需要用 CMOS 製程技術 (D)這個電路為一個反相器。5d8ad892ded0f.jpg

29. [ ] 如右圖所示電路，A 與 B 為輸入，VO為 輸出，則此電路可執行何種邏輯函數？ (A) NAND (B) NOR (C) AND (D) OR。5d8ad888176da.jpg
30. [ ] 在 CMOS 積體電路製程中，電晶體的閘級(Gate)是使用那層材料製作 而成？ (A)Oxide 層 (B)Metal 層 (C)Poly 層 (D)以上皆可。
31. [ ] 電晶體做為開關用途時，是操作於那些區？ (A)截止區與作用區 (B)截止區與飽和區 (C)僅於作用區 (D)作用區與飽和區。
32. [ ] 一般基本放大器加上負回授後，下列特性敘述，何者錯誤？ (A)放大器增益會衰減 (B)增益與頻寬的乘積提高 (C)頻寬會增加 (D)雜訊對電路的影響降低。
33. [ ] 有關理想運算放大器的搭述，下列何者錯誤？ (A)開路電壓增益趨近無窮大 (B)輸入阻抗趨近無窮大 (C)輸出阻抗趨近無窮大 (D)頻帶寬度趨近無窮大。

34. [ ] 如右圖所示電路，為一偏壓電路及其直流輸出負載線，若原工作點 在 Q1位置，欲 修正工作點至 Q2位置，則應： (A)減少 RB (B)增加 RB (C)減少 RC (D)增加 RC。5d8ad91ec2d3c.jpg
35. [ ] 二極體的空乏區，隨著逆偏電壓的增加而產生何種變化？ (A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)先增後減。

36. [ ] 如右圖所示電路，V1 = 1V，V2 = 2V， V3 = 3V，則輸出電壓 Vo為何？ (A) -9V (B) -7V (C) 7V (D) 9V。5d8ad93082fe4.jpg
37. [ ] 在 P 型半導體中，導電的多數載子為何者？ (A)電子 (B)原子核 (C)電洞 (D)離子。
38. [ ] MOSFET 是以何種效應控制汲極與源極間之電流？ (A)磁場效應 (B)電場效應 (C)光電效應 (D)霍爾效應。
39. [ ] 下列何者為主動元件？ (A)電容 (B)電感 (C)電阻 (D)電晶體。

40. [ ] 如右圖所示電路，若該電路中 D1、D2 和 D3 皆為理想二極體，且以正邏輯系統來 看，接近 0V 之電壓值代表邏輯 0，而靠近 +5V 之電壓值代表邏輯 1，則該電路輸出 vY與輸入 vA、vB和 vC為何種邏輯閘？ (A) AND (B) OR (C) NOR (D) NAND。5d8ad953dfbac.jpg
41. [ ] 功率電晶體的集極與外殼通常接在一起，其主要目的為何？ (A)美觀 (B)製造方便 (C)散熱效佳 (D)易於辨認。

42. [ ] 如右圖所示之電路，輸 出電壓 Vo為何？ (A) +Vm (B) -Vm (C) +2Vm (D) -2Vm。5d8ad982078a4.jpg
43. [ ] 下列關於 CMOS 數位電路之敘述，何者錯誤？ (A)將數位電路的操作頻率提高，電路的功率消耗會越大(B)將數位電路線路上的雜散電容降低，電路的功率消耗會越小 (C)將數位電路的操作電壓降低，電路的功率消耗會越大 (D)降低數位電路的動態功率消耗可提高效率。 .
44. [ ] 在積體電路製程中，下列最佔晶片面積的元件為何？ (A)電容 (B)電感 (C)電阻 (D)電晶體。
45. [ ] 有關主動濾波器及被動濾波器之敘述，下列何者錯誤？ (A)主動濾波器一般採用主動元件搭配被動元件設計 (B)被動濾波器不包含主動元件 (C)主動濾波器可適用於低頻範圍之應用 (D)被動濾波器之最大電壓增益可大於 1。

46. [ ] 如右圖所示之電路，其功能為何？ (A)半波整流器 (B)全波整流器 (C)積分器 (D)微分器。 5d8ad992168bf.jpg
47. [ ] 下列關於 BJT 電晶體射極隨耦器之特性敘述，何者錯誤？ (A)輸出訊號與輸入訊號相位相同 (B)電壓增益略小於 1 (C)電流增益低於 1 (D)輸入阻抗甚高。
48. [ ] 有一電晶體偏壓於作用區，測得 IB = 0.05 mA，IE = 5 mA，則此電晶 體的α參數值為多少？ (A) 0.01 (B) 0.99 (C) 0.9 (D) 9.9。
49. [ ] 下列關於 MOSFET 的敘述，何者錯誤？ (A)MOSFET 有空乏型及增強型兩種型式 (B) MOSFET 有 N 通道及 P 通 道兩種 (C) MOSFET 是電流控制元件 (D) MOSFET 之閘極與源極間直 流電阻很大。
50. [ ] 下列有關達靈頓(Darlington)電路之敘述，何者正確？ (A)電壓增益與輸出阻抗甚高 (B)電流增益與輸出阻抗甚高 (C)電壓增益與輸入阻抗甚低 (D)輸出阻抗低，為串級直接耦合電 路。

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