阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
> 109年 - 109 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#94892
109年 - 109 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#94892
科目：
半導體工程 |
年份：
109年 |
選擇題數：
0 |
申論題數：
6
試卷資訊
所屬科目：
半導體工程
選擇題 (0)
申論題 (6)
(一)說明這兩種結構的差異以及這兩種結構中兩個面心立方次晶格在空 間的對應關係。
(二)
As 合金半導體屬於閃鋅結構。其三種原子銦、鎵、砷在兩個次晶格間如何分布？又
屬於鑽石結構。其兩種原子矽、鍺 在兩個次晶格間又如何分布？
二、在一個 PN 接面光偵測器中，若光子在空乏區被吸收而產生電子電洞對， 分別說明電子與電洞由產生位置到外部電極的傳導方式。若光子在 P 型 中性區被吸收，也分別說明電子與電洞由產生位置到外部電極的傳導方 式。請指出電子與電洞的傳導方向。 （20分）
三、就一個操作在主動區的 npn 雙極性電晶體（bipolar junction transistor）， 說明其電流的傳導機制。何謂電晶體的注入效率（injection efficiency） 與傳導因子（transport factor）？若基極（base）與射極（emitter）為同質 接面（homojunction） ，應如何設計射極與基極的摻雜濃度以提高注入效 率？若基極與射極為異質接面（heterojunction） ，其能帶結構對注入效率 有何影響？（20分）
四、請說明磊晶成長（epitaxial growth）、異質磊晶成長（hetero-epitaxial 、以及晶格不匹配（lattice mismatch） growth） 。如何利用異質磊晶成長對 磊晶薄膜產生應變（strain）？（20分）
五、考慮 Si 的 SiO
2
熱成長的機制可分為兩個步驟：氧分子擴散通過已成長 的 SiO
2
然後與下面的 Si 進行反應形成 SiO
2
。假設擴散的氧分子通量與 SiO
2
厚度成反比。分別說明何時擴散步驟、反應步驟會成為瓶頸步驟。 而在前述兩種狀況下，SiO
2
的厚度與時間的關係分別為何？（20分）
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入
As 合金半導體屬於閃鋅結構。其三種原子銦、鎵、砷在兩個次晶格間如何分布？又 
屬於鑽石結構。其兩種原子矽、鍺 在兩個次晶格間又如何分布？