申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：109年 - 109 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#94892
科目：半導體工程
年份：109年
排序：0

五、考慮 Si 的 SiO₂熱成長的機制可分為兩個步驟：氧分子擴散通過已成長的 SiO₂然後與下面的 Si 進行反應形成 SiO₂。假設擴散的氧分子通量與 SiO₂厚度成反比。分別說明何時擴散步驟、反應步驟會成為瓶頸步驟。而在前述兩種狀況下，SiO₂的厚度與時間的關係分別為何？（20分）