申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：109年 - 109 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#94892
科目：半導體工程
年份：109年
排序：0

四、請說明磊晶成長（epitaxial growth）、異質磊晶成長（hetero-epitaxial 、以及晶格不匹配（lattice mismatch） growth）。如何利用異質磊晶成長對磊晶薄膜產生應變（strain）？（20分）

詳解提供者：hchungw

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶技術成長出的結晶，有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。