所屬科目：電子學
一、圖一電晶體直流增益β = 20，輸出電阻 ro→ ∞，熱電壓（Thermal voltage） VT = 25 mV，主動區 VEB = 0.7 V，飽和區 VEB = 0.7 V 且 VEC = 0.3 V，小訊號 vsig(t) = 0.1 sinωt mV，輸入端電容 Cin → ∞，電感 LB→ ∞。先列式作 直流分析，求算流出電晶體之直流電流 IB與 IC、以及流入之直流電流 IE， 判斷電晶體之工作區，再畫出 vo(t)波形。（20 分）
二、圖二(1)的運算放大器具有理想特性，R1 = R2 = 10 kΩ。正負偏壓為， vs(t)為週期 T 之連續三角波如圖二(2)。先畫出 vo-vs之轉換特性曲線，再 依照 vs(t)波形畫出對應的 vo(t)波形。（20 分）
三、圖三為回授放大器的方塊圖，放大器 A 之開迴路增益（open-loop gain） 為 A = xo/xi，且其輸出電阻為 Ro，在負載(RL)端為電壓取樣（voltage sampling）xo = vo，回授網路的輸出電阻 Roβ → ∞。信號源 xs、回授信號 xf = βxo、以及 A 之輸入 xi = xs – xf 三者可以同樣是電壓 v 或電流 i，畫出 放大器 A 與β網路兩者之輸出端等效戴維寧（Thevenin）或諾頓（Norton） 電路，並據以列式推導此回授放大器輸出電阻 Rof公式。（20 分）
四、圖四無穩態複振器（astable multivibrator）三反相器輸出邏輯“0”與“1”分 別為 0 與+5 V，輸出電阻為零，輸入電阻無限大，輸入低於 2 V 視為 “0”，高於 4 V 視為“1”，電壓介於 2 V 與 4 V 之間時，反相器不改變輸 出。R = 1 kΩ，C = 10 μF。電路圖下方為 v2(t)，畫出對應的 v1(t)波形，並 求算 T1與 T2。ln2 = 0.6931，ln3 = 1.099。（20 分）
五、圖五是 1-bit CMOS 靜態隨機存取記憶體（SRAM）電路，A、B 與 Q 均 為低電位（邏輯 0）或高電位（邏輯 1）的變數，分別表示「非 B」 與「非 Q」。電路中所有 MOS 電晶體已經妥善設計，使 SRAM 可正確操 作於閒置（standby）、寫入（writing）與讀取（reading）三種模式。欲進 入閒置與讀取“Q = 1”兩種模式，分別說明變數 A 與 B 之設定、其順序及理由。（20 分）
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， vs(t)為週期 T 之連續三角波如圖二(2)。先畫出 vo-vs之轉換特性曲線，再 依照 vs(t)波形畫出對應的 vo(t)波形。（20 分）
分別表示「非 B」 與「非 Q」。電路中所有 MOS 電晶體已經妥善設計，使 SRAM 可正確操 作於閒置（standby）、寫入（writing）與讀取（reading）三種模式。欲進 入閒置與讀取“Q = 1”兩種模式，分別說明變數 A 與 B 之設定、其順序及理由。（20 分）