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五、圖五是 1-bit CMOS 靜態隨機存取記憶體（SRAM）電路，A、B 與 Q 均 為低電位（邏輯 0）或高電位（邏輯 1）的變數，
分別表示「非 B」 與「非 Q」。電路中所有 MOS 電晶體已經妥善設計，使 SRAM 可正確操 作於閒置（standby）、寫入（writing）與讀取（reading）三種模式。欲進 入閒置與讀取“Q = 1”兩種模式，分別說明變數 A 與 B 之設定、其順序及理由。（20 分）