題組內容

四、一個半導體 PN 接面，P 與 N 側的雜質濃度分別為 NA 與 ND，且 NA＞＞ND。 半導體的本質濃度（intrinsic carrier density）為 ni，介電係數為 ε。此外令 k 為波茲曼常數，T 為絕對溫度。 （每小題10分，共20分）

(一)求取在熱平衡條件下的內建電位（built-in potential）Vbi 表示式。