題組內容

四、一個半導體 PN 接面，P 與 N 側的雜質濃度分別為 N_A 與 N_D，且 N_A＞＞N_D。半導體的本質濃度（intrinsic carrier density）為 n_i，介電係數為 ε。此外令 k 為波茲曼常數，T 為絕對溫度。（每小題10分，共20分）

(二)以空乏近似法（depletion approximation），求取熱平衡下的空乏區寬度（depletion width）W 表示式。