110年 - 110 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#101633

科目：半導體工程 | 年份：110年 | 選擇題數：0 | 申論題數：6

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (6)

一、請說明四點探針量測半導體特性之架構並說明為何做此安排。（10 分）

二、在化學氣相沉積（CVD）方法中反應溫度與成長速率有那兩種關係反應出其成長機制？請解釋此兩種之意義？又那一種為 CVD 成長較希望控制之成長機制，為什麼？（15 分）

三、某一直接能隙（ 1.42 eV ）之化合物半導體平衡時之載子濃度，照光時每 μsec 產生電子電洞對，如果少數載子生命週期是 2 nsec，請計算 quasi-Fermi level，並畫出照光前後能隙 Fermi level 之變化。此材料之本質濃度為。（25 分）

四、請畫出 pn 同質接面之發光二極體（LED）平衡時與順向偏壓之能帶圖（10 分），請說明發光區域主要在 LED 之何處並說明原因。（10 分）

五、請畫出 PMOS 場效電晶體結構，並說明如何將此場效電晶體開啟（turn on）與關閉（turn off）。（15 分）

六、為什麼在矽局部氧化形成時，氧化薄膜會向矽基板內生長？請計算其比例（以未成長時之表面當參考位置）。（15 分）