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半導體工程
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110年 - 110 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#101633
> 申論題
一、請說明四點探針量測半導體特性之架構並說明為何做此安排。（10 分）
相關申論題
二、在化學氣相沉積（CVD）方法中反應溫度與成長速率有那兩種關係反應 出其成長機制？請解釋此兩種之意義？又那一種為 CVD 成長較希望控 制之成長機制，為什麼？（15 分）
#426627
三、某 一 直 接 能 隙 （ 1.42 eV ） 之 化 合 物 半 導 體 平 衡 時 之 載 子 濃 度，照光時每 μsec 產生電子電洞對，如果少數載 子生命週期是 2 nsec，請計算 quasi-Fermi level，並畫出照光前後能隙 Fermi level 之變化。此材料之本質濃度為。（25 分）
#426628
四、請畫出 pn 同質接面之發光二極體（LED）平衡時與順向偏壓之能帶圖 （10 分），請說明發光區域主要在 LED 之何處並說明原因。（10 分）
#426629
五、請畫出 PMOS 場效電晶體結構，並說明如何將此場效電晶體開啟（turn on） 與關閉（turn off） 。（15 分）
#426630
六、為什麼在矽局部氧化形成時，氧化薄膜會向矽基板內生長？請計算其比 例（以未成長時之表面當參考位置）。（15 分）
#426631
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
#560348
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